[发明专利]祼晶式发光二极管有效

专利信息
申请号: 03106832.4 申请日: 2003-03-03
公开(公告)号: CN1527408A 公开(公告)日: 2004-09-08
发明(设计)人: 陈兴 申请(专利权)人: 诠兴开发科技股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种裸晶式发光二极管,是将发光二极管(LED)晶粒直接制作成表面粘着型(SMD)的结构,不须再经封装制程即可使用,利用GaN系(蓝光)LED晶粒的基板为透明氧化铝单晶(俗称蓝宝石单晶)做为天然的最佳封装基材,利用覆晶技术将电极面制作成光反射面,同时镀一层(SiO2)保护膜层,并制作电极凸块,在基板面上制作微小透镜或纳米点、纳米柱以增强光的输出,即完成SMD型的裸晶式发光二极管,不须再做封装制程,可直接将裸晶式发光二极管与线路板连接。其特点为省成本、优良率高、散热性佳、微小化容易,可作大功率发光元件。
搜索关键词: 祼晶式 发光二极管
【主权项】:
1、一种裸晶式发光二极管,其特征在于,其结构包含:一透光基板的发光二极管晶粒,其正、负电极需在同一面并具有反射光电极且以透光基板为光射出面;一低折射率材料其折射率需小于基板,大于空气折射率;一复数个微小透镜;一次波长纳米结构层;其特征在于,在发光二极管的透光基板面上形成复数个微小透镜或一低折射率材料或一次波长纳米结构层以改变光的折射,增强裸晶发光二极管的射出。
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