[发明专利]半导体存储器件以及控制半导体存储器件的方法无效
| 申请号： | 03107228.3 | 申请日： | 2003-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1474412A | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 栗田裕司 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/406 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件，其执行用于数据保留的刷新，具有停止刷新的断电模式。该器件包括一个请求产生电路(19)，用于用一个振荡电路所产生的振荡信号产生一个刷新请求信号(req)。该振荡电路响应一个断电模式进入信号(NAPe)而停止振荡信号的产生。这样减小该半导体存储器件的电流消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 以及 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，其执行用于数据保留的刷新，具有停止刷新的断电模式，该器件包括一个振荡电路(17、35、45、56)，用于产生一个振荡信号；以及一个请求产生电路(19)，用于用该振荡电路的振荡信号产生一个刷新请求信号(req)，该器件的特征在于，该振荡电路响应一个断电模式进入信号(NAPe)而停止振荡信号的产生。
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