[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 03107255.0 | 申请日： | 2003-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1445856A | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | 齐藤丈靖;上野清治 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此提供一种半导体器件，其中包括：形成在半导体基片上的第一绝缘膜；垂直和水平地形成在存储单元区域中的第一绝缘膜上的实际操作电容器；有选择地形成在该存储单元区域的四个角上的伪电容器；以及形成在该实际操作晶体管和伪电容器上的第二绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其中包括：形成在半导体基片上的第一绝缘膜；垂直和水平地形成在存储单元区域中的第一绝缘膜上的实际操作电容器；有选择地形成在该存储单元区域的四个角上的伪电容器；以及形成在该实际操作晶体管和伪电容器上的第二绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
