[发明专利]制备无机纳米管的方法无效
| 申请号： | 03107258.5 | 申请日： | 2003-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1467311A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 闵约赛;裵恩珠;崔原凤;曹永真;李正贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C30B23/04 | 分类号： | C30B23/04;C30B29/10;C30B29/16;C01G55/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 巫肖南;封新琴 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种利用碳纳米管(CNT)作为模板制备无机纳米管的方法。该方法包括制备其上形成CNT或CNT阵列的模板；利用原子层沉积法(ALD)通过在模板上沉积无机材料，于CNT上形成无机薄膜；及除去CNT，得到无机纳米管或无机纳米管阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 无机 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备无机纳米管的方法，包括：制备其上形成碳纳米管(CNT)或CNT阵列的模板；利用原子层沉积法(ALD)通过在模板上沉积无机材料，于CNT上形成无机薄膜；及除去CNT，得到无机纳米管或无机纳米管阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03107258.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
