[发明专利]双层光阻的形成方法及其应用无效
| 申请号： | 03107298.4 | 申请日： | 2003-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1532632A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张庆裕 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双层光阻的形成方法及其应用；双层光阻的形成方法是首先在一基体上，形成图案化的一第一光阻层；接着，固化该第一光阻层，使该第一光阻层不溶于光阻溶剂；最后，在被固化的该第一光阻层上，形成图案化的一第二光阻层；此双层光阻的形成方法还可以应用于罩幕式只读存储器的编码、孔洞的形成、以及双镶嵌结构。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 形成 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1、一种双层光阻的形成方法，包含有：提供一基体；在该基体上，形成图案化的一第一光阻层；固化该第一光阻层，使该第一光阻层不溶于光阻溶剂；以及在被固化的该第一光阻层上，形成图案化的一第二光阻层。
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