[发明专利]半导体器件和提供低衬底电容区域的方法有效
| 申请号： | 03107305.0 | 申请日： | 2003-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1445834A | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·A·杜哈姆;基思·G·凯米考纳;布赖恩·斯库诺维尔 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体结构(1)，其特征在于在半导体材料(10)上形成隔离区(5)。在隔离区下面在半导体材料中形成立柱(15)，其中该立柱用第一介电材料(20)覆盖，以形成空洞(16)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 提供 衬底 电容 区域 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构(1)，其特征在于：在半导体材料(10)上形成的隔离区(5)；在隔离区下面由半导体材料形成的立柱(15)，其中该立柱用第一介电材料(20)覆盖，以形成空洞(16)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
