[发明专利]光学信息记录介质及其制造方法有效
| 申请号： | 03107320.4 | 申请日： | 2003-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1445767A | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | 西原孝史;児岛理惠;山田升 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24;G11B7/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 钟守期,庞立志 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的光学信息记录介质，其特征为，至少含有一个信息层，该信息层从激光入射侧按顺序包括：含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第1电介质膜；设在前述第1电介质膜上、通过激光的照射光学特性可逆地变化的记录膜；设在前述记录膜上、含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第2电介质膜，前述第1电介质膜的Cr原子浓度至少为6at％以上，前述第2电介质膜的Cr原子浓度至少为9at％以上，并且，前述第2电介质膜的Cr原子浓度比前述第1电介质膜的Cr原子浓度大。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 信息 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光学信息记录介质，是包含基板和信息层的光学信息记录介质，其特征为，前述信息层从激光入射侧按顺序包括：含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第1电介质膜；设在前述第1电介质膜上、通过激光的照射光学特性可逆地变化的记录膜；设在前述记录膜上、含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第2电介质膜，前述第1电介质膜的Cr原子浓度至少为6at％以上，前述第2电介质膜的Cr原子浓度至少为9at％以上，并且，前述第2电介质膜的Cr原子浓度比前述第1电介质膜的Cr原子浓度大。
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