[发明专利]氧化铟膜的形成方法、具有氧化铟膜的衬底及半导体元件无效
| 申请号： | 03107359.X | 申请日： | 1998-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1442882A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 荒尾浩三;中川克已;岩崎由希子 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C18/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在导电衬底上形成氧化铟膜的成膜方法，把所述衬底和相反电极浸入至少包含硝酸盐离子和铟离子的水溶液中，在所述衬底和相反电极之间通电流，由此在所述衬底上形成所述氧化铟膜。利用无电淀积工艺形成氧化铟膜的水溶液，至少包含硝酸盐离子，铟离子和酒石酸盐。利用所述的水溶液，通过无电淀积工艺，在衬底上形成氧化铟膜的成膜方法。利用所述成膜方法，制成半导体元件和光生伏打元件的衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 形成 方法 具有 衬底 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.半导体元件的衬底，其包括作为半导体元件衬底的导电衬底，所述导电衬底具有通过把所述导电衬底和相反电极浸入至少包含硝酸盐离子和铟离子的水溶液中，在所述衬底和相反电极之间通电流，在衬底上形成的氧化铟膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
