[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明涉及一种半导体存储装置，能够在用MIS晶体管作为积累电荷的装置的半导体存储装置中，提高数据的写入工作和读出工作的速度。DRAM单元10是为了由在第1晶体管11的沟道中积累电荷，由第2晶体管12和第3晶体管13传送电荷而构成的，通过交互地使用用与第2晶体管12的栅极连接的第1字线WLa和与第2晶体管12的漏极连接的第1位线BLa的路径、和用与第2晶体管12的栅极连接的第1字线WLa和与第2晶体管12的漏极连接的第1位线BLa的路径这样2条路径，可以使数据传输速度高速化。

主权项

1.半导体存储装置，它的特征是：备有分别具有第1晶体管、源极或漏极与上述第1晶体管的源极或漏极的一部分连接的第2晶体管、源极或漏极与上述第1晶体管的源极或漏极的其它部分连接的第3晶体管的多个存储单元，上述第1晶体管将从上述第2和第3晶体管传送过来的电荷积累在沟道中。