[发明专利]开关半导体集成电路无效
| 申请号： | 03107420.0 | 申请日： | 2003-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1492585A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 登坂裕之 | 申请（专利权）人： | 新日本无线株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/00 | 分类号： | H03K17/00;H01P1/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种开关半导体集成电路具有控制高频信号通过的开关FET，使开关FET在通－断操作间切换。开关半导体集成电路包含使用反相器电路的逻辑控制部分，它根据外部施加的控制信号来产生开关信号，反相器电路使用结型FET，开关FET的栅极经栅极电阻器连接至反相器电路的输出端，此输出端又与耦合部分高频信号的耦合电容器相连。耦合的高频信号被结型FET的栅与漏间的等效二极管整流而叠加在施于开关FET栅极的DC电压上。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种开关半导体集成电路，具有开关FET来控制高频信号的导通，由施加于开关FET栅极的开关信号使开关FET在开态和关态间切换，其中开关半导体集成电路包含使用反相器电路的逻辑控制部分，它根据外部供给的控制信号产生开关信号，且开关FET的栅极经栅极电阻器与反相器电路的输出端相连，此输出端又与耦合部分高频信号的耦合电容器相连，从而使耦合的高频信号被结型FET栅与漏间的等效二极管整流，并叠加在施加于开关FET栅极的DC电压上。
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