[发明专利]曝光条件确定系统无效
申请号: | 03107481.2 | 申请日: | 2003-03-19 |
公开(公告)号: | CN1467792A | 公开(公告)日: | 2004-01-14 |
发明(设计)人: | 中江彰宏 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/207 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在曝光条件确定系统100的数据库10中,储存有关先前进行的曝光工序的信息,包含掩模信息11、曝光机信息12、光刻胶工艺信息13、先前的曝光条件信息14。曝光条件确定部分15根据从数据库10抽出的各种信息及新掩模信息20,按照曝光条件确定程序,确定适合于新掩模的曝光条件,并输出其结果即新掩模的曝光条件21。模拟部分16根据从数据库10抽出的各种信息及新掩模信息20进行光学模拟和显影模拟。通过模拟部分16模拟的结果,在曝光条件确定部分15中确定新掩模的曝光条件21时使用。该曝光条件计算系统不需要繁杂的曝光条件确认作业,就能够获得适合于每台曝光机的个体差异的曝光条件。 | ||
搜索关键词: | 曝光 条件 确定 系统 | ||
【主权项】:
1.一种曝光条件确定系统,其中设有:储存了有关先前曝光的第一信息的数据库;以及基于有关采用新制作的掩模进行曝光的第二信息和所述数据库储存的所述第一信息而确定适合于所述新制作的掩模的曝光条件的曝光条件确定部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造