[发明专利]电荷耦合器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03107500.2 | 申请日： | 2003-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1447443A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 笹田一弘;沖川滿;泉誠 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/765 | 分类号： | H01L29/765;H01L27/148;H01L21/339 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及电荷耦合器件及其制造方法。采用本发明能够得到具有单层的栅极构造，而且性能良好的电荷耦合器件。该电荷耦合器件是具有单层的栅极构造的电荷耦合器件，具备：形成于半导体基板的栅极绝缘膜、由形成于栅极绝缘膜上的绝缘物构成的多个隔片、以及配置于相邻的隔片间，具有沿隔片的侧部形成的侧面的凹状的栅极。这样，如果以光刻下限尺寸以下的宽度形成隔片，则相邻的栅极间的间隔小于光刻下限尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷耦合器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电荷耦合器件，具有单层的栅极构造，其特征在于，具备形成于半导体基板上的栅极绝缘膜、由形成于所述栅极绝缘膜的绝缘物构成的多片隔片、以及配置于相邻的所述隔片间，具有沿所述隔片的侧部形成的侧面的凹状的栅极。
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