[发明专利]层形成方法,和具有通过该方法形成的层的基材有效

专利信息
申请号: 03107624.6 申请日: 2003-03-21
公开(公告)号: CN1467302A 公开(公告)日: 2004-01-14
发明(设计)人: 福田和浩;诸星保雄;西脇彰;近藤庆和;戶田义朗;大石清 申请(专利权)人: 柯尼卡株式会社
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C8/36;H05H1/46;H01L21/31;H01L21/205
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 刘明海
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种层形成方法,包括将气体供给至放电空间,通过施加高频电场穿过放电空间而在大气压或在约大气压下激发供给的气体,和将基材暴露于激发气体,其中高频电场是其中第一高频电场和第二高频电场重叠的电场,第二高频电场的频率ω2高于第一高频电场的频率ω1,第一高频电场的强度V1,第二高频电场的强度V2和放电开始电场的强度IV满足关系V1≥IV>V2或V1>IV≥V2,和第二高频电场的功率密度不低于1W/cm2
搜索关键词: 形成 方法 具有 通过 基材
【主权项】:
1.一种层形成方法,包括将包含层形成气体的气体供给至放电空间,通过施加高频电场穿过放电空间而在大气压或在约大气压下激发供给的气体,和将基材暴露于激发气体,这样在基材上形成层,其中高频电场是其中第一高频电场和第二高频电场重叠的电场,第二高频电场的频率ω2高于第一高频电场的频率ω1,第一高频电场的强度V1,第二高频电场的强度V2和放电开始电场的强度IV满足关系V1≥IV>V2或V1>IV≥V2,和第二高频电场的功率密度不低于1W/cm2。
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