[发明专利]可稳定工作的半导体存储器无效
| 申请号： | 03107908.3 | 申请日： | 2003-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1474410A | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 伊藤孝 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体存储器包含电源电路(70)。电源电路(70)包括生成第1基准电压(VREFD)的基准电压发生电路(72)；利用第1基准电压(VREFD)将外部电源电压(EXTVDD)升压生成第1内部电源电压(VDDH)的升压电路(71)；生成第2基准电压(VREFP)的基准电压发生电路(73)；将第1内部电源电压(VDDH)降压至第2基准电压(VREFP)生成第2内部电源电压(VDD4)的VDC电路(74)。然后，将生成了的第2内部电源电压(VDD4)供给DLL，DLL生成具有与第2内部电源电压(VDD4)的电压电平相应的相位的周期信号。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定 工作 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，其特征在于，包括；存储数据的存储单元阵列；改变外部电源电压的电压电平生成第1内部电源电压，改变该生成了的第1内部电源电压的电压电平生成第2内部电源电压的电源电路；生成具有相应于由上述电源电路供给的上述第2内部电源电压的电压电平的相位的周期信号的周期信号生成电路；以及与上述周期信号同步地向外部输出从上述存储单元阵列中读出了的读出数据的输出电路。
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