[发明专利]金属斜角蚀刻结构、源极/漏极与栅极结构及其制造方法有效
| 申请号： | 03107964.4 | 申请日： | 2003-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1534742A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 陈俊雄;郑逸圣 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属斜角蚀刻结构、源极/漏极与栅极结构及其制造方法。此用于金属斜角蚀刻的方法步骤包括：提供一衬底；于上述衬底上形成一具有相对上述衬底面法线方向生长的柱状结晶所构成的第一金属层；于上述第一金属层上形成一具有任意定向的细微晶粒结晶构成的第二金属层；形成并定义一掩模层于上述的第二金属层上；再以一蚀刻工序去除未被该掩模层所覆盖的部分的第一金属层及第二金属层，以得到一倾斜侧面。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 斜角 蚀刻 结构 源极 栅极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属斜角蚀刻结构，其至少包括：一衬底；一具有相对上述衬底面法线方向生长的柱状结晶构成的第一金属层形成于上述衬底之上；以及一具任意定向的细微晶粒结晶构成的第二金属层形成于上述第一金属层之上，且上述的第一金属层及第二金属层边缘为倾斜侧面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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