[发明专利]半导体集成电路装置无效
申请号: | 03108191.6 | 申请日: | 2003-03-31 |
公开(公告)号: | CN1449039A | 公开(公告)日: | 2003-10-15 |
发明(设计)人: | 椎名正弘 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L23/58 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李贵亮,杨梧 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体集成电路装置,防止半导体集成电路装置的无用配线交叉,实现LSI配线的低阻抗。半导体集成电路装置为积层结构,其具有基本电路部件和与该基本电路部件电导通的底座以及与该底座电导通的保护电路,形成底座和保护电路邻接的一单元,将多个一单元配置在基本电路部件的周边。通过使供给电源电压的最上层金属在一单元的外侧回绕,加厚该最上层金属的膜厚,使供给接地电压的最下层金属的宽度尽可能宽,来实现LSI整体的低阻抗。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】:
1、一种半导体集成电路装置,其特征在于,其具有:基本电路部件,与所述基本电路部件电连接的底座,与所述底座电连接的保护电路;由将所述底座和所述保护电路相互邻接配置的一个单元构成,同时,多个该单元配置在所述基本电路部件的周边。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的