[发明专利]含绝缘体的半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03108327.7 | 申请日： | 2003-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1467812A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 泽田真人;飞松博;林山吉生 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置与其制造方法，旨在提供具有以没有空隙等缺陷的膜质良好的绝缘膜填充细沟的内部而显示良好隔离特性的元件隔离结构的半导体装置与其制造方法。该半导体装置包括半导体衬底(1)和隔离绝缘体(2a～2c)。其中，半导体衬底(1)的主表面上有沟(17a～17c)形成，隔离绝缘体(2a～2c)用热氧化法形成于沟的内部，将半导体衬底(1)的主表面上的元件形成区域隔离。所述隔离绝缘体(2a～2c)是多个氧化膜(3a～3c、4a～4c、5a～5c、6b、7b)的叠层体。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中设有：主表面上有沟形成的半导体衬底，以及用热氧化法在所述沟内形成的、将所述半导体衬底的主表面上的元件形成区域隔离的隔离绝缘体；所述隔离绝缘体是多个氧化膜层的叠层体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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