[发明专利]半导体装置与半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 03108330.7 | 申请日： | 2003-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1471163A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 井户康弘;岩本猛 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，在切断形成于该半导体装置的熔丝时，能防止对于相邻熔丝的损伤地切断目标熔丝。该装置包括：基片，可通过光的照射切断的形成于基片上的熔丝，以及形成于熔丝上部和基片上部的绝缘膜。并且，该绝缘膜包括：配置于基片上部的、其表面位于熔丝表面上方而形成的平坦部和在熔丝的上部从平坦部再继续形成的、比平坦部的表面突出的突出部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括如下部分：基片，形成于所述基片上方的、可通过光照射切断的熔丝，以及形成于所述熔丝上部和所述基片上部的绝缘膜；所述绝缘膜包括：配置于所述基片上部的、其表面形成于所述熔丝的表面上方的平坦部，以及在所述熔丝的上部从所述平坦部再继续形成的、从所述平坦部的表面突出的突出部。
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