[发明专利]磁性体逻辑元件及磁性体逻辑元件阵列无效
| 申请号： | 03108383.8 | 申请日： | 2003-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1448946A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 中村志保;羽根田茂 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00;H03K19/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种小型、能进行逻辑处理的新的磁性体逻辑元件及将该元件阵列化了的磁性体逻辑元件阵列。该磁性体逻辑元件具有：至少两个以上的磁性层(HM、SM)；磁性层之间的中间单元；以及磁性层(SM)的磁化方向控制单元，将控制磁性层(SM)的磁化方向用的输入信号设为A、B两个以上，分别分配0、1，用输入信号A、B的组合，决定磁性层(SM)的磁化，将通过了中间单元的磁致电阻效应的大小作为输出信号C。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 逻辑 元件 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种磁性体逻辑元件，其特征在于具有：至少两个以上的磁性单元；设置在上述两个以上的磁性单元之间的中间单元；以及控制上述两个以上的磁性单元中的至少某一个的磁化方向的磁化方向控制单元，设有控制上述磁性单元的磁化方向用的输入信号A及输入信号B，分别将“0”和“1”分配给它们，利用上述输入信号A和上述输入信号B的组合，决定上述磁性单元的磁化，将通过了上述中间单元的磁致电阻效应的大小作为输出信号C。
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