[发明专利]半导体存储器有效

专利信息
申请号: 03108433.8 申请日: 2003-03-31
公开(公告)号: CN1479378A 公开(公告)日: 2004-03-03
发明(设计)人: 佐佐木纯一;篠崎直治 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L27/10 分类号: H01L27/10;G11C11/34
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 脉冲发生器响应读出命令产生多个列脉冲。地址计数器连续地输出与读出命令一起提供的外部地址之后的地址作为内部地址。列解码器与列脉冲同步地连续选择列选择线。响应单个读出命令RD从存储单元读出的数据的多个位通过列开关连续地传送到公共数据总线。这可以将数据总线的数目减少到最小,防止芯片尺寸的增加。因为单个数据总线可以传送数据的多个位,使得能够使响应读出命令而启动的存储区域的面积达到最小。因此,这允许功耗的减少。
搜索关键词: 半导体 存储器
【主权项】:
1.一种半导体存储器,包括:多个位线,分别连接到存储单元;多个列开关,分别连接到所述位线;数据总线,对所述位线公用并且通过所述列开关连接到所述位线;多个列选择线,分别连接到所述列开关;脉冲发生器,用于响应从外部提供的读出命令产生多个列脉冲;地址计数器,用于接收与所述读出命令一起提供的外部地址,并且连续输出所述外部地址和所述外部地址之后的地址作为内部地址;列解码器,用于与所述列脉冲同步地连续选择所述列选择线,以连续导通所述列开关,所述列选择线分别与所述内部地址相对应。
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