[发明专利]半导体存储器有效
申请号: | 03108433.8 | 申请日: | 2003-03-31 |
公开(公告)号: | CN1479378A | 公开(公告)日: | 2004-03-03 |
发明(设计)人: | 佐佐木纯一;篠崎直治 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;G11C11/34 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 脉冲发生器响应读出命令产生多个列脉冲。地址计数器连续地输出与读出命令一起提供的外部地址之后的地址作为内部地址。列解码器与列脉冲同步地连续选择列选择线。响应单个读出命令RD从存储单元读出的数据的多个位通过列开关连续地传送到公共数据总线。这可以将数据总线的数目减少到最小,防止芯片尺寸的增加。因为单个数据总线可以传送数据的多个位,使得能够使响应读出命令而启动的存储区域的面积达到最小。因此,这允许功耗的减少。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器,包括:多个位线,分别连接到存储单元;多个列开关,分别连接到所述位线;数据总线,对所述位线公用并且通过所述列开关连接到所述位线;多个列选择线,分别连接到所述列开关;脉冲发生器,用于响应从外部提供的读出命令产生多个列脉冲;地址计数器,用于接收与所述读出命令一起提供的外部地址,并且连续输出所述外部地址和所述外部地址之后的地址作为内部地址;列解码器,用于与所述列脉冲同步地连续选择所述列选择线,以连续导通所述列开关,所述列选择线分别与所述内部地址相对应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03108433.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置的电容器及其制备方法
- 下一篇:半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的