[发明专利]制造Ⅲ－V族化合物半导体的方法无效
| 申请号： | 03108535.0 | 申请日： | 2003-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1447388A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 平松和政;三宅秀人;坊山晋也;前田尚良;家近泰 | 申请（专利权）人： | 住友化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 当形成III－V族氮化物半导体的晶体层时，首先在衬底上覆盖氮化物半导体层以便形成基底层，并且通过氢化物气相外延在不低于800Torr的淀积压力下在该基底层上外延生长由通式InxGayAlzN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)表示的III－V族氮化物半导体。通过使淀积压力不低于800Torr，可以显著地提高III－V族氮化物半导体的结晶性并降低它的缺陷密度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 化合物 半导体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造III-V族化合物半导体的方法，包括：通过氢化物气相外延形成由通式InxGayAlzN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)表示的III-V族氮化物半导体的晶体层的步骤，在生长III-V族氮化物半导体期间的淀积压力设置为不低于800Torr。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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