[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 03108615.2 | 申请日： | 2003-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1449058A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 小野升太郎;山口好广;川口雄介;中村和敏;安原纪夫;松下宪一;帆玉信一;中川明夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种保持低导通阻抗仍能降低栅漏间容量的半导体器件。本发明的功率MOSFET(1)，具有：在n+型低阻抗半导体衬底(10)上形成的n－型高阻抗外延层(50)；在n－型高阻抗外延层(50)的表面部分选择地形成的p型基极层(14)；在p型基极层(14)的表面部分选择地形成的n+型源极层(16)；在n－型高阻抗外延层(50)的表面部分，在p型基极层(14)之间，选择地形成的具有比n－型高阻抗外延层(50)高的杂质浓度的Njfet层(40)；隔着栅极绝缘膜(22)形成的栅电极(24)；及源电极(20)和漏电极(12)；在该功率MOSFET(1)中，将夹着Njfet层(40)的p型基极层(14)被配置成相互接近，以便从这些基极层(14)控制耗尽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底，其至少表面部分成为第一导电型低阻抗漏极层；第一主电极，其与上述低阻抗漏极层连接；第一导电型高阻抗外延层，其在上述低阻抗漏极层之上形成；第二导电型基极层，其在上述高阻抗外延层的表面部分选择地形成；第一导电型源极层，其在上述第二导电型基极层的表面部分选择地形成；第一导电型jfet层，其在上述高阻抗外延层的表面部分夹着上述第二导电型基极层的区域选择地形成，具有比上述高阻抗外延层高的杂质浓度；栅极绝缘膜，其在上述第一导电型jfet层表面的至少一部分、夹着上述第一导电型jfet层的第二导电型基极层的表面、以及与上述第二导电型基极层相邻的上述第一导电型源极层的表面形成；控制电极，其在上述栅极绝缘膜上形成；及第二主电极，其在上述控制电极的两边，在上述第一导电型源极层与第一导电型源极层邻接的上述第二导电型基极层上配置；在第一导电型jfet层两边的上述第二导电型基极层被配置成相互接近，以便从上述第二导电型基极层控制耗尽。
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