[发明专利]具有黑矩阵的平板显示器及其制造方法无效
申请号: | 03108621.7 | 申请日: | 2003-04-02 |
公开(公告)号: | CN1452252A | 公开(公告)日: | 2003-10-29 |
发明(设计)人: | 朴商一;申东缵;金慧东;金昌树 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L31/18;H05B33/00;G09F9/00;H01J9/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒,魏晓刚 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有黑矩阵的平板显示器及其制造方法,该平板显示器为一种有机电致发光显示器,其中,在与像素电极相同的表面上形成了黑矩阵,该黑矩阵具有透明材料和金属材料的浓度梯度。该有机电致发光显示器的黑矩阵和像素电极仅用一道掩模操作形成。黑矩阵具有以下结构的浓度梯度,该结构即:连续梯度结构,其中随着黑矩阵厚度增加,透明材料成分连续减少,而金属材料成分连续增多;阶跃梯度结构,其中随着黑矩阵厚度增加,透明材料成分逐步减少,而金属材料成分逐步增多;或者多重梯度结构,其中连续梯度结构和/或阶跃梯度结构是重复的。 | ||
搜索关键词: | 具有 矩阵 平板 显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造平板显示器的方法,该方法包括:依次在衬底上形成像素电极材料和黑矩阵材料;通过构图该像素电极材料和黑矩阵材料来在衬底上同时形成像素电极和黑矩阵;在衬底前表面上形成第一绝缘层;在相应于黑矩阵的第一绝缘层上形成连接像素电极的薄膜晶体管和连接薄膜晶体管的电容器;在衬底前表面上形成第二绝缘层;以及通过蚀刻第一和第二绝缘层形成暴露部分像素电极的开口部分。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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