[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种互补式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。本发明提供制造具有增强式性能互补式金属氧化物半导体晶体管的方法，由于短通道特性和操作功率可通过p型金属氧化物半导体区域的双重穿透停止层而受控制，及n型金属氧化物半导体的操作功率也可通过第一轻度掺杂漏极区域和第二轻度掺杂漏极区域所组成的双重轻度掺杂漏极区域的掺杂物浓度而受控制。

主权项

1.一种半导体，包括：一栅极电极和一栅极氧化层，位于一半导体衬底上；间隔壁，形成于该层的侧面；一第一导电类型源极/漏极区域，形成于该半导体衬底内该间隔壁的边缘；一第二导电类型穿透停止层，形成于该半导体衬底中的该第一导电类型源极/漏极区域之间的区域中；一第一导电类型源极/漏极延伸区域，占据自该第一导电类型源极/漏极区域至该栅极电极两边的延伸区域；以及一第一导电类型轻度掺杂漏极区域，毗邻该源极/漏极区域且围绕该源极/漏极延伸区域，其中，该第一导电类型轻度掺杂漏极区域的结深度由该穿透停止层限制。