[发明专利]自对准可编程相变存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种自对准可编程相变存储器件及其制造方法。该器件是以相变物质为基础的自对准及非易失性存储结构，此相变物质例如是硫族化合物，且存储器件被制作于集成电路上的非常小区域面积内。本发明的制造自对准存储单元的过程中只需要2个相关阵列掩模，以定义位线及字线。存储单元被定义于位线及字线的交叉处，且自对准过程中的位线及字线的宽度将定义存储单元的大小。存储单元包括选择组件、加热/阻挡层及相变存储元件，而存储单元位于位线及字线的交叉处。

主权项

1.一种存储器件的制造方法，包括：形成一多层膜于一衬底上，该多层膜具有一第一导电层、至少一用以形成一选择组件的物质层及至少一用以形成一相变存储元件的物质层；定义多个具有一第一图案的第一线于该多层膜上并进行蚀刻，以形成多个第一缺口于该些第一线之间及该衬底上，该些第一线以一第一方向延伸于该多层膜上；填充一绝缘物质于该些第一线之间的该些第一缺口中；形成一第二导电层于该些第一线上及该绝缘物质上，以形成一多层复合物；以及定义多个具有一第二图案的第二线于该多层复合物上并进行蚀刻，以形成多个第二缺口于该些第二线之间及该第一导电层上，该些第二线以垂直该第一方向的一第二方向延伸于该多层复合物上，使得该些第二线与该些第一线相交，其中，该第一导电层所形成的该些第一线及该第二导电层所形成的该些第二线之间延伸着多个自对准存储单元，各该存储单元具有该用以形成一选择组件的物质层及该用以形成一相变存储元件的物质层。