[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 03108821.X | 申请日： | 2003-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1532928A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 黄桂武;刘埃森;彭宝庆;雷明达;万文恺;林正忠;林义雄;林佳惠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/31;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制造方法，其在导体区完成后，利用例如选择性反应(Selective Reaction)、等离子体表面处理(Plasma Surface treatment)或离子植入(Ion Implanation)等方式来钝化(Passivate)导体区间的绝缘区表面，借以防止导体区的原子沿绝缘区表面扩散至绝缘区中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构，至少包括：一基材；数个导体区以及数个绝缘区位于该基材上；以及一钝化层位于这些绝缘区的表面上，以防止这些导体区中的一导体材料扩散至这些绝缘区中。
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