[发明专利]双载子互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路及方法无效
| 申请号： | 03108824.4 | 申请日： | 2003-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1532929A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 陈孝贤 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一结合双载子晶体管的金属氧化物半导体的结构，以双载子晶体管来触发金属氧化物半导体来达到静电放电防护的功能。由于双载子晶体管可避免习知技艺中用RC触发的静电放电防护电路布局过大问题外，利用双载子晶体管也可以防止漏电流，及双载子晶体管本身的触发电压也较低，故可以避免漏电流极高触发电压的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 双载子 互补 金属 氧化物 半导体 静电 放电 防护 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双载子/互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路，其特征在于，包含：一金属氧化物半导体晶体管；一双载子晶体管，其基极为一开放端；及一底材电阻，与该双载子晶体管串联，该串联的底材电阻/双载子晶体管则与该金属氧化物半导体晶体管并联，其中该底材电阻与该双载子晶体管相连接的一端点还连接至该金属氧化物半导体晶体管，使跨于该底材电阻的电压让一静电电流流过该金属氧化物半导体晶体管内的一寄生双载子晶体管。
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