[发明专利]电光装置、半导体装置及它们的制造方法和投影装置与电器无效
| 申请号： | 03108865.1 | 申请日： | 2003-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1450631A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 安川昌宏 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明旨在提供能改善设有厚度不同的半导体层的电光装置与半导体装置中的半导体层的形状，进行高成品率制造的电光装置与半导体装置的制造方法。本发明的制造方法包括：将在支持基片10上隔着绝缘膜12形成的单晶硅层(半导体层)206以预定的平面形状进行图案制作，然后将所述半导体层206分割为多个半导体区域210、220的图案制作工序；在通过所述图案制作工序形成的所述半导体区域210、220中，将第一半导体区域210的半导体层201薄层化到预定半导体层厚的薄层化工序。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 装置 半导体 它们 制造 方法 投影 电器 | ||
【主权项】：
1.一种设有基片及在该基片上隔着绝缘膜形成的半导体层的、所述半导体层分割为不少于两个厚度不同的半导体区域的电光装置的制造方法，其特征在于：包括通过将所述半导体层形成预定的平面形状的图案，将所述半导体层分割为多个半导体区域的图案制作工序；以及将通过所述图案制作工序形成的所述半导体区域中不少于一个区域的半导体层薄层化到预定的半导体层厚的薄层化工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
