[发明专利]防止微影工艺对准失误的结构与方法有效
| 申请号： | 03109087.7 | 申请日： | 2003-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1534759A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 苏金达;赖隽仁;颜裕林 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种防止微影工艺对准失误的结构与方法，其应用在金属内连线的微影工艺中，此方法首先在一基底上方的一结构层上形成一铝层。接着，在铝层的表面上形成一抗反射层，其中此抗反射层是由至少二钛层以及至少二氮化钛层交错堆栈而成。由于抗反射层是由至少二钛层以及至少二氮化钛层交错堆栈而成，因此可以分散氮化钛的应力，而使整个抗反射层较为均匀，以避免后续微影工艺产生对准失误。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 工艺 对准 失误 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种防止微影工艺对准失误的方法，其特征是，该方法包括：在一基底上方的一结构层上形成一导电层；以及在该导电层的表面上形成一抗反射层，其中该抗反射层是由至少二金属层以及至少二氮化金属层交错堆栈而成的双数层结构。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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