[发明专利]具有嵌埋于基底中的屏蔽图案的高品质因子电感器件无效
| 申请号： | 03109184.9 | 申请日： | 2003-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1536590A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 杨宗儒;黄唯夫;陈幸足;许长丰;黄国忠 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F17/00 | 分类号： | H01F17/00;H01L27/01 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高品质因子的电感器件，其包括一绝缘层形成于一半导体基底的表面上方，一导电膜形成于绝缘层上且与半导体基底分离，一屏蔽图案嵌埋于半导体基底中且包括有多个隔离部与多个高浓度掺杂部。多个隔离部分布于半导体基底中，从而分隔半导体基底的表面为多个不相连通的区域。多个高浓度掺杂部形成于半导体基底内且靠近表面，由多个隔离部而彼此电绝缘。屏蔽图案还包括有多个硅化金属层，形成于多个高浓度掺杂部上，以及一离子注入井，用以容纳多个隔离部与多个高浓度掺杂部。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 基底 中的 屏蔽 图案 品质 因子 电感 器件 | ||
【主权项】：
1.一种高品质因子电感器件，包含：一半导体基底，具有一表面；一绝缘层，形成于所述半导体基底的所述表面上方；一导电膜，形成于所述绝缘层上且分离于所述半导体基底，所述导电膜具有两端子且作为一电流路径；以及一屏蔽图案，嵌埋于所述半导体基底中，包括：多个隔离部，分布于所述半导体基底中，其中每一隔离部具有一底部与一顶部，所述底部深入所述半导体基底内且所述顶部露出于所述表面上，从而分隔所述表面成多个不相连通的区域，以及多个高浓度掺杂部，形成于所述半导体基底内且靠近所述表面，由所述多个隔离部而彼此电性绝缘。
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