[发明专利]快闪存储胞及其制造方法

摘要

一种快闪存储胞，此存储胞是由p型基底、设置于p型基底中的深n型井区、设置于p型基底上的堆叠闸极结构，此堆叠闸极结构由p型基底起依序为穿隧氧化层、浮置闸极、闸间介电层、控制闸极与顶盖层、分别设置于堆叠闸极结构两侧的p型基底中的源极区与汲极区、设置于深n型井区中，且从汲极区延伸至堆叠闸极结构下方并与源极区相邻的p型口袋掺杂区、贯穿汲极区与p型口袋掺杂区的接面的接触窗与设置于接触窗与汲极区、p型口袋掺杂区之间的金属硅化物层所构成。

主权项

1、一种快闪存储体胞，其特征在于，包括：一第一导电型基底；一第二导电型第一井区，设置于该第一导电型基底中；一堆叠闸极结构，设置于该第一导电型基底上，该堆叠闸极结构由该第一导电型基底起依序为一穿隧氧化层、一浮置闸极、一闸间介电层、一控制闸极与一顶盖层；一源极区与一汲极区，分别设置于该堆叠闸极结构两侧的该第一导电型基底中；一第一导电型口袋掺杂区，设置于该第二导电型第一井区中，从该汲极区延伸至该堆叠闸极结构下方并与该源极区相邻；一接触窗，贯穿该汲极区与该第一导电型口袋掺杂区的接面；一金属硅化物层，设置于该接触窗与该汲极区、该第一导电型口袋掺杂区之间。