[发明专利]像素结构及其修补方法有效
| 申请号： | 03109279.9 | 申请日： | 2003-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1536873A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 王健鸿 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N1/40 | 分类号： | H04N1/40;H04N5/335;G02F1/13 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种像素结构及其修补方法，本发明像素结构由一扫描配线以及一资料配线驱动，其包括：一第一薄膜电晶体、一第二薄膜电晶体以及一像素电极。其修补方法为：先将第一源极/汲极与资料配线连接的一端切断，以使第一薄膜电晶体不受资料配线的驱动，再由一激光修补过程形成一修补导体层，并由该修补导体层将第二闸极与扫描配线电性连接，以使第二薄膜电晶体被扫描配线与资料配线驱动。本发明的像素电极因为具有两个薄膜电晶体，一个在平常状态下工作，而当其损毁时，可利用激光修补过程将由另一个备用的薄膜电晶体代替，使面板亮/暗点问题减少，且仍旧保持有主动式的特性与优点。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 及其 修补 方法 | ||
【主权项】：
1、一种像素结构，由一扫描配线以及一资料配线驱动，其特征在于其包括：一第一薄膜电晶体，该第一薄膜电晶体具有一第一闸极与一第一源极/汲极，所述的第一闸极与所述的扫描配线电性连接，所述的第一源极/汲极的一端与资料配线电性连接；一第二薄膜电晶体，该第二薄膜电晶体具有一第二闸极与一第二源极/汲极，所述的第二闸极为电性浮置，所述的第二源极/汲极的一端与资料配线电性连接，以及一像素电极，该像素电极电性连接于第一源极/汲极的另一端以及第二源极/汲极的另一端。
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