[发明专利]半导体装置

摘要

在包括半导体元件，覆盖半导体的电绝缘盖，以及分别电连接到半导体元件的至少第一和第二导电端子的半导体装置中，第一导电端子具有第一端子凸起从盖的第一表面突出并且包括第一终止端和第一根源端，第二导电端子具有第二端子凸起从盖的第二表面突出并且包括第二终止端和第二根源端，在沿着平行于突出方向的虚平面而获得的断面图中，盖具有盖凸起和盖凹槽中至少一个，盖凸起突出到高于第一和第二终止端高度的高度，盖凹槽的底部相对于盖的第一和第二表面凹陷。

主权项

1.一种半导体装置，包括半导体元件(29，291-294，411-416，421-426)，覆盖半导体的电绝缘盖(30，31)，以及分别电连接到半导体元件(29，291-294，411-416，421-426)的至少第一和第二导电端子(21-23)，其特征在于，第一导电端子具有第一端子凸起，其从盖的第一表面在突出方向上突出并且包括沿着第一表面的第一终止端和第一根源端，第二导电端子具有第二端子凸起，其从盖的第二表面在突出方向上突出并且包括沿着第二表面的第二终止端和第二根源端，并且在沿着通过第一和第二端子凸起并平行于突出方向延伸的虚平面而获得的半导体装置横断面图中，盖具有盖凸起(111-115)和盖凹槽(121-123)中至少一个，盖凸起相对于盖的第一和第二表面在突出方向上突出到高于第一和第二终止端高度的高度，盖凹槽的底部相对于盖的第一和第二表面在突出方向上凹陷。