[发明专利]制作钨插塞的方法

摘要

一种于一半导体晶片上制作钨插塞的方法，该半导体晶片表面包含有一基底，一铜双镶嵌结构设于该基底之上，一介电层覆盖于该铜双镶嵌结构之上，以及一介层洞穿过该介电层并通达该铜双镶嵌结构顶部表面；首先于介层洞底部及侧壁表面形成一氮化钽层，然后于氮化钽层表面形成一氮化钛层；接着进行一化学气相沉积制程以于氮化钛层上形成一钨金属层并填入介层洞内；最后进行一化学机械研磨制程，使钨金属层约略与介电层表面切齐，以于介层洞形成钨插塞；本发明主要利用氮化钽层以及氮化钛层同时作为阻障层，以有效阻绝钨插塞下方连接的双镶嵌结构内铜金属挤出至介层洞内；由于氮化钛金属对于钨金属的附着能力相当良好，使得本发明可直接利用化学气相沉积法于氮化钛层上沉积钨金属层。

主权项

1.一种于一半导体晶片上制作一钨插塞的方法，该半导体晶片表面包含有一基底，一铜金属层设于该基底之上，一介电层设于该铜金属层之上，以及一介层洞穿过该介电层并通达该铜金属层表面，其特征是：该方法包含有：于该介层洞的底部及侧壁表面形成一氮化钽层；于该氮化钽层表面形成一氮化钛层；以及进行一化学气相沉积制程，于该氮化钛层上形成一钨金属层，以于该介层洞形成该钨插塞。