[发明专利]垂直磁存储媒体、其制造方法和磁存储装置无效
| 申请号： | 03110162.3 | 申请日： | 2003-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1467706A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 井原宣孝;児玉宏喜;渦卷拓也 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种垂直磁存储媒体、其制造方法和磁存储装置，其中能够高密度记录和再现的垂直磁存储媒体包括软磁衬垫层(12)、非磁性中间层(13)、通过设置硬磁性超微颗粒(17)形成的记录层(14)、外涂层(15)和滑性层(16)，所有这些层都以上述顺序设置在衬底(11)上，其中该超微颗粒的平均直径的范围在2纳米和10纳米之间，该超微颗粒的直径的标准偏差为超微颗粒的平均直径的10％或更小，超微颗粒的平均间隔在0.2纳米和5纳米之间，并且记录层14的易磁化轴垂直于衬底(11)的表面，以使通过该垂直磁存储媒体能够进行高密度记录和再现。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 存储 媒体 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁存储媒体，包括通过将硬磁性超微颗粒设置在衬底上形成的记录层，其中该硬磁性超微颗粒的平均直径在2纳米和10纳米之间，该硬磁性超微颗粒的直径的标准偏差为硬磁性超微颗粒的平均直径的10％或更小，在硬磁性超微颗粒之间的平均间隔在0.2纳米和5纳米之间，并且该记录层的易磁化轴垂直于该衬底的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03110162.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
