[发明专利]绝缘树脂薄膜以及绝缘树脂薄膜的微细图案形成方法无效
| 申请号： | 03110187.9 | 申请日： | 2003-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN1462062A | 公开（公告）日： | 2003-12-17 |
| 发明（设计）人： | 高桥敏晴 | 申请（专利权）人： | 日本东北先锋公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;B29C51/10 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 日本山形*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有细节距的微细图案、量产性甚佳且材料的限制较少的绝缘树脂薄膜以及该绝缘树脂薄膜的微细图案的形成方法。在具有形成微细图案的成形沟部的成形模具上配备成为被形成对象物的绝缘树脂薄膜，而在其上配备具有与所述成形沟部对应成一对的凹部空间的预张形成模具。在预张形成模具侧吸引以绝缘树脂薄膜，而在凹部空间内形成对应于微细图案的微细的预张部，而将此预张部转印至成形沟内。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 树脂 薄膜 以及 微细 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘树脂薄膜，其特征在于，以真空压空成形的方式成形有10～500μ节距的凹凸状图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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