[发明专利]画素结构有效
申请号: | 03110228.X | 申请日: | 2003-04-07 |
公开(公告)号: | CN1536396A | 公开(公告)日: | 2004-10-13 |
发明(设计)人: | 来汉中 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/136 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周长兴 |
地址: | 台湾省新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种画素结构,包括一扫描配线、一信号配线、一画素电极以及一薄膜晶体管。其中,信号配线对应于扫描配线上方的区域具有多个分岔的分支配线,当扫描配线与信号配线之间发生短路的情况时,可由将部分分支配线切除的方式进行修补。在其他实施例中,信号配线旁配置有一修补配线,此修补配线跨过扫描配线上方,当扫描配线与信号配线之间发生短路情况时,可由修补配线进行激光修补。 | ||
搜索关键词: | 结构 | ||
【主权项】:
1、一种画素结构,适于配置在一透明基板上,该画素结构包括:一第一导体层,配置于该透明基板上,该第一导体层包括一扫描配线以及一闸极,其中该闸极与该扫描配线连接;一第一介电层,配置于该透明基板上并覆盖住该第一导体层;一通道层,配置于该闸极上方的该第一介电层上;一第二导体层,配置于该第一介电层上,该第二导体层包括一信号配线以及一源极/汲极,该闸极、该通道层以及该源极/汲极构成一薄膜晶体管,其中该信号配线对应于该扫描配线上方的区域分岔为复数个分支配线;一第二介电层,配置于该第一介电层上并覆盖住该第二导体层;以及一画素电极,配置于该第二介电层上,其中该画素电极、该信号配线系与该源极/汲极电性连接。
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