[发明专利]固体摄像元件无效
| 申请号： | 03110247.6 | 申请日： | 2003-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1472819A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 洼田睦;木村雅俊 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社;菱电半导体系统工程株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 设置金属布线层(2)、多个金属栓(3)、金属布线层(4)、多个金属栓(5)、金属布线层(6)、多个金属栓(7)及金属布线层(8)，使之包围位于对光电变换元件(1)的半导体衬底(10)的主表面垂直的方向的空间。由这些金属部形成光路。由于该光路反射从外部入射的入射光，能够抑制成使得该入射光不至漏泄到其它的光电变换元件上。得到能够抑制在相邻的像素彼此之间产生了颜色的离散或者颜色的洇渗的不良现象的固体摄像元件。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 摄像 元件 | ||
【主权项】：
1、一种固体摄像元件，其特征在于：具备：设置在半导体衬底(10)内的光电变换元件部(1)；以及设置在上述半导体衬底(10)的上侧，以便沿着对该半导体衬底(10)的主表面垂直的方向延伸，使入射到该半导体衬底(10)的主表面的入射光反射，从而将该入射光导入上述光电变换元件部(1)的光路(2、3、4、5、6、7、8、17)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社;菱电半导体系统工程株式会社，未经三菱电机株式会社;菱电半导体系统工程株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03110247.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：影像感测器微透镜组、影像感测器及其制造方法
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
