[发明专利]存储结构和制造该存储结构的方法

摘要

本发明揭示一种存储结构和制造该种结构的方法。一第一门结构和一第二门结构设置在一基底上。在植入过程之后，该第一门结构将变为植入的存储结构的外围器件，而第二门结构将变为植入的存储结构的存储器件。一第一定位架间隔和一第二定位架间隔构成在第一门结构和第二门结构的侧壁上。在第二门结构之间形成接触之后，将除去在第二门结构的侧壁上的第二定位架间隔。因此，在第一门结构的侧壁上，存在有包括第一定位架间隔和第二定位架间隔的双定位架间隔。在另一方面，仅包括第一定位架间隔的单一定位架间隔留在第二门结构的侧壁上。因此，本发明根据半导体制造的要求，可为外围器件和存储器件制造不同尺寸的定位架间隔。

主权项

1.一种存储结构，包括：外围器件的至少一个第一门结构和在存储器件的基底上的至少一个第二门结构；在所述第一门结构的侧壁上和所述第二门结构的侧壁上的第一定位架间隔，其中，所述第一定位架间隔包括一第一绝缘层；在所述第一门结构的所述侧壁上的第二定位架间隔，其中，所述第二定位架间隔包括一第二绝缘层和一第三绝缘层；以及一介于两个所述第二门结构的接触。