[发明专利]确定背栅特性的方法和装置有效
| 申请号： | 03110439.8 | 申请日： | 2003-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN1467809A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 山下正史;坪仓光隆;木山诚 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 确定背栅特性的方法和装置用以减少制作背栅特性有缺陷的半导体电路元件。最初，得出第一C－V曲线30表示加于晶片20正面的电压与电容值之间的关系，其中所述晶片20用作半导体电路元件的衬底。继而，通过将电压加于晶片20背面得出第二C－V曲线32。根据从所述第一C－V曲线30和第二C－V曲线32得出的电压漂移量34，对晶片20确定半导体电路元件的背栅特性。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 特性 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种确定背栅特性的方法，用于确定半导体电路元件的背栅效应特性，其特征在于，所述确定背栅特性的方法包括如下步骤：获得第一C-V特性，它表示加于要成为半导体电路元件衬底之晶片正面的电压与晶片电容值之间的关系；在加给晶片背面电压的同时，获得晶片的第二C-V特性；以及比较所述晶片的第一C-V特性和第二C-V特性，确定半导体电路元件的背栅效应特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
