[发明专利]光刻装置和器件制造方法无效
| 申请号： | 03110534.3 | 申请日： | 2003-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1441318A | 公开（公告）日： | 2003-09-10 |
| 发明（设计）人： | J·G·吉斯伯特森;P·W·H·德亚格;M·D·尼克尔克 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00;G06T11/20;G06F15/12;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 荷兰维尔*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光刻装置投射，其设有对准传感器，该传感器包括电子束源10，用于提供一入射到基底W的对准标记14上的电子束12；背散射电子检测器16，用于检测从对准标记14背散射出来的电子。对准传感器独立于投射系统和投射辐射，并且为一种离轴对准传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 装置 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻投射装置，包括：用于提供辐射投射光束的辐射系统；用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据要求的图案对投射光束进行构图；用于保持基底的基底台；用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统；其特征在于所述装置进一步包括一对准传感器，该传感器包括：电子束源，用于提供一入射到基底台上的基底的对准标记上的电子束；背散射电子检测器，用于检测从对准标记背散射出来的电子，其中对准传感器独立于光刻投射装置的辐射系统，但设置在光刻投射装置之中，以在光刻投射装置内部原位进行对准。
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