[发明专利]铁电存储晶体管及其形成方法无效
| 申请号： | 03110616.1 | 申请日： | 2003-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1497735A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 许胜籐;张风燕;李廷凯 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L27/105;H01L21/335;H01L21/82;G11C11/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性铁电存储器件，这种存储器件消除了与漏电流相关的晶体管存储保持性能变劣的问题。本发明的铁电存储晶体管包括：具有源区、栅区和漏区的衬底；位于栅区的栅极叠层，该栅极叠层包括：包含第一高k杯和第二高k杯在内的高k绝缘体元件、封闭在所述高k绝缘体元件内的铁电元件，以及位于所述高k绝缘体元件上部的上电极；位于所述衬底和栅极叠层上方的钝化氧化物层；以及喷涂金属，用于为源区、漏区、和栅极叠层形成相应的触点。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电存储晶体管，它包括：具有源区、栅区、和漏区的衬底；位于栅区的栅极叠层，该栅极叠层包括：包含第一高k杯和第二高k杯在内的高k绝缘体元件、封闭在所述高k绝缘体元件内的铁电元件，以及位于所述高k绝缘体元件上部的上电极；位于所述衬底和栅极叠层上方的钝化氧化物层；和喷涂金属，用于为源区、漏区、和栅极叠层形成相应的触点。
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