[发明专利]含单晶氧化物导体的叠层体、激励器和喷墨头及制造方法有效
| 申请号： | 03110644.7 | 申请日： | 2003-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1451540A | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | 松田堅义 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | B41J2/14 | 分类号： | B41J2/14;B41J2/16;H01L41/083;H01L41/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用作钙钛矿压电体以及电致伸缩材料的电极材料和作为成膜衬底的氧化物导体材料，其特征在于：在Si衬底上的单晶氧化物导体中，Si原子间距离x和单晶氧化物导体的原子间距离y满足(1)式：其中n，m是任意的正整数，并且1≤n≤5，1≤m≤7，并且nx≤3，my≤3。 | ||
| 搜索关键词： | 含单晶 氧化物 导体 叠层体 激励 喷墨 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.在Si衬底上具有单晶氧化物导体的叠层体，Si的原子间距离x和单晶氧化物导体的原子间距离y满足下式：Z=|mynx-1|min≥0.05,其中n、m是任意的正整数，并且1≤n≤5，1≤m≤7，nx≤3，my≤3，其中，x是任意联结在和单晶氧化物导体面对的Si衬底上出现的Si原子间的距离，nx是3nm以下的数值，y是在和x成一维关系下任意联结在和Si面对的单晶氧化物导体面上出现的构成单晶氧化物导体的原子的距离，my是3nm以下的数值。
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