[发明专利]光刻用掩模及其制法和光刻设备与器件制法有效
| 申请号： | 03110769.9 | 申请日： | 2003-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1448784A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | M·F·A·厄尔林斯;A·J·J·范迪塞尔东克;M·M·T·M·迪里希斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/00;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 荷兰维尔*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种反射掩模具有低分辨率结构，该结构被应用于吸收区域来减弱镜面反射中的功率量。该结构可以形成相衬光栅或者漫射器。同样的技术也可应用于光刻设备中其它的吸收体。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 用掩模 及其 制法 设备 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用在光刻设备中的反射掩模，所述掩模具有相对高反射比区域和相对低反射比区域，这些区域确定具有最小印刷特征尺寸的掩模图案，其特征在于：所述低反射比区域包括具有按比例小于所述最小印刷特征尺寸的结构的一层，使得从所述低反射率区域的镜面反射被减弱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司，未经ASML荷兰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03110769.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：耐热性定位器及其制造方法
- 下一篇：增强安全性的定位系统
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
