[发明专利]场发射显示用冷阴极的硅衬底结构及制备无效
| 申请号： | 03110837.7 | 申请日： | 2003-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1516214A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 宋航;李志明;赵海峰;元光;金亿鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/308;H01L21/00 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 130022吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种能够在硅衬底上实现线条阵列线间隔离的冷阴极结构。根据矩阵显示分辨率的需要，在导电硅衬底上刻蚀出一定宽度和数量的线条沟道和沟台阵列，在沟道内扩散反型杂质获得p－n结线条沟道并在其一端蒸镀金属，从而实现阵列线条沟道间的隔离，完成场发射显示用冷阴极硅衬底结构的制备。线条沟道2、扩散区3、扩散区4、引线焊盘5、沟台6，本发明在场发射冷阴极硅衬底基片上采用刻蚀线条沟道方案、可制备多重p－n结能够实现线条沟道间的隔离，而且可以提高线条沟道线间耐压。本发明提供一种结构简单、工艺成熟、成本低廉、容易实现的场发射显示用冷阴极的硅衬底结构。本发明的冷阴极硅衬底具有寻址功能，能实现矩阵显示。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 显示 阴极 衬底 结构 制备 | ||
【主权项】：
1、场发射显示用冷阴极硅衬底结构的制备，其特征在于：首先根据矩阵显示分辨率的需要，在导电硅衬底上刻蚀出一定宽度和数量的线条沟道和沟台阵列，然后在沟道内扩散反型杂质获得p-n结线条沟道，在p-n结线条沟道的一端蒸镀金属即制成引线焊盘，以便焊接引线与外电路联接，从而实现阵列线条沟道间的隔离，完成场发射显示用冷阴极硅衬底结构的制备。
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