[发明专利]双层双面平面微线圈制作

摘要

本发明属于微机械构件，涉及双层双面平面微线圈的制作步骤如下：硅片双面抛光，双面氧化，双面光刻、腐蚀形成通孔；双面生长电铸阴极，厚胶双面光刻、电铸，形成上、下一层微线圈及通孔引线，去胶；进行第二次厚胶双面光刻后电铸磁芯；去胶，刻蚀掉电铸阴极；双面光刻形成绝缘层，双面溅射电铸阴极；进行第三次厚胶双面光刻、电铸形成上、下二层微线圈，去胶；进行第四次厚胶双面光刻、电铸形成上、下附加磁芯；去胶及电铸阴极；制作双面保护层。本发明提供了一种平面微线圈的电磁力大、减少了体积的双层双面平面微线圈制作方法。采用本发明制造的平面电磁微电机可应用于工业、航天、军事、医学及科学研究等领域。

主权项

1、双层双面平面微线圈制作，其特征在于：其制作步骤如下：a、首先将硅片双面抛光；b、在硅片的上、下表面各生长一层薄膜；c、用普通光刻胶双面光刻、腐蚀上述的薄膜形成腐蚀窗口；d、对上述腐蚀窗口处的硅进行腐蚀形成通孔；e、对步骤d双面生长金属薄膜作为上、下一层电铸阴极；f、对步骤e进行第一次厚胶双面光刻，显影后形成上、下一层微线圈胶模；g、对步骤f精密脉冲电铸，形成上、下一层微线圈及通孔引线；h、去除步骤g光刻胶；i、对步骤h进行第二次厚胶双面光刻，光刻胶遮盖微线圈而使通孔引线暴露出来；j、在步骤i通孔引线的内壁电铸形成坡莫合金磁芯结构；k、去除步骤j双面的光刻胶，并刻蚀掉步骤e生长的上、下一层电铸阴极；l、在步骤k的上、下表面光刻形成上、下绝缘层； m、在步骤l的上、下表面再次溅射金属薄膜作为上、下二层电铸阴极；n、在步骤m的上、下表面进行第三次厚胶双面光刻，显影后形成上、下二层微线圈胶模，然后电铸形成上、下二层微线圈，去除光刻胶；o、在步骤n的上、下表面进行第四次厚胶双面光刻，显影后电铸形成坡莫合金上、下附加磁芯；p、去除步骤o的光刻胶及上、下二层电铸阴极；q、在步骤p的上、下表面制作上、下保护层。