[发明专利]一种高阻尼形状记忆合金无效
申请号: | 03111381.8 | 申请日: | 2003-04-08 |
公开(公告)号: | CN1536097A | 公开(公告)日: | 2004-10-13 |
发明(设计)人: | 朱圣龙;张峻巍;王福会 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C22C14/00 | 分类号: | C22C14/00;C22C30/00;//C22K1:00 |
代理公司: | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 | 代理人: | 张晨 |
地址: | 110015辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及阻尼材料,具体地说是一种高阻尼形状记忆合金,其特征在于在原形状记忆合金Ti-Ni-Cu中含有微量的稀土元素Y,Y的含量为0.01-5at%。本发明高阻尼合金通过调整组元Cu和Y的含量可提高和控制合金的马氏体相转变温度,从而获得更宽工作温度范围的高阻尼合金。本发明高阻尼合金可采用真空感应熔炼方法或电弧法进行熔炼,直接制备出抗振零部件产品;本发明高阻尼形状记忆合金具有阻尼性能优、应用范围较宽、成本较低、以及耐摩擦磨损和耐腐蚀等优良的综合性能,并可作为高阻尼复合材料和智能材料等加以开发利用。 | ||
搜索关键词: | 一种 阻尼 形状 记忆 合金 | ||
【主权项】:
1、一种高阻尼形状记忆合金,其特征在于在原Ti-Ni-Cu形状记忆合金中含有微量的稀土元素Y。
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