[发明专利]量子阱混合超辐射发光管及其制作方法无效
| 申请号： | 03111555.1 | 申请日： | 2003-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1450695A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 许呈栋;杜国同 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张景林,张凯军 |
| 地址： | 130023 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种应用量子阱混合技术制作的超辐射发光器件及该发光器件的制作方法。超辐射发光器件顺次由下电极、n－InP衬底、n－InP缓冲层、n－InGaAsP分别限制层、InGaAsP多量子阱有源层、p－InGaAsP分别限制层、p－InP盖层、p－InGaAs盖层、SiO2电流隔离层、上电极组成。InGaAsP多量子阱有源层由量子阱混合区域和非量子阱混合区域两部分构成，可以是两区式结构也可以是多区式交替结构。上电极可以是分开的，从而形成两个泵浦区。通过调整两量子阱混合与非混合区域的长度之比，或者对两区域分别进行电泵浦，可以使得器件的发光谱相对较为平坦，同时本发明具有发光器件制备工艺简单的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 混合 辐射 发光 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体超辐射发光管，顺次由下电极(1)、n-InP衬底(2)、n-InP缓冲层(3)、n-InGaAsP分别限制层(4)、InGaAsP多量子阱有源层(5)、p-InGaAsP分别限制层(6)、p-InP盖层(7)、p-InGaAs盖层(8)、SiO2电流隔离层(9)、上电极(10)构成，其特征在于：InGaAsP多量子阱有源层(5)由量子阱混合区域(11)和非量子阱混合区域(12)两部分构成。
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