[发明专利]一种向金属材料中引入氦的方法无效
| 申请号： | 03111695.7 | 申请日： | 2003-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1548573A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘实;王隆保;郑华;马爱华;于洪波;王贤艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 110015辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种向金属材料中引入氦的方法，采用溅射镀膜技术，其特征在于：在镀膜的同时，向膜材表面注入低能氦离子束，离子束的能量低于1000eV。通过实施本发明的技术，较好地解决了向材料(膜材)中引入高浓度氦的问题。与传统方法相比，引入效率高，费用少，氦含量高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属材料 引入 方法 | ||
【主权项】：
1、一种向金属材料中引入氦的方法，采用溅射镀膜技术，其特征在于：在镀膜的同时，向膜材表面注入低能氦离子束，离子束的能量低于1000eV。
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