[发明专利]特殊切角的硼酸铋变频晶体器件无效
| 申请号： | 03111834.8 | 申请日： | 2003-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1431741A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 王正平;王继扬;滕冰;董胜明;许心光;邵宗书;翟仲军;杜晨林 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01S3/109 | 分类号： | H01S3/109;G02B1/02 |
| 代理公司： | 济南三达专利事务所 | 代理人： | 刘旭东 |
| 地址： | 250100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于光电子技术领域。本发明的主要内容就是对于倍频，当入射光波长为780nm～1180nm时，硼酸铋晶体器件的切角范围是θ＝149.5°±5°～175°±5°，φ＝90°±5°，入射光波长为1180nm～1380nm时，晶体切角范围是θ＝169°±5°～167°±5°,φ＝135.5°±5°～153.7°±5°，对于和频，当入射光波长为1064nm，532nm时，晶体切角范围是θ＝137.7°±5°，φ＝130°±5°，或θ＝146.4°±5°，φ＝90°±5°。它解决了现有技术无法确定BIBO晶体器件最佳切向的问题。本发明具有变频转换效率高、能耗低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 特殊 切角 硼酸 变频 晶体 器件 | ||
【主权项】：
1.一种硼酸铋晶体器件，其特征在于晶体器件是以特定切角方向加工而成的，对于倍频，在入射光波长为780nm～1180nm时，晶体切角范围是：θ＝149.5°±5°～175°±5°，φ＝90°±5°；在入射光波长为1180nm～1380nm时，晶体切角范围是：θ＝169°±5°～167°±5°，φ＝135.5°±5°～153.7°±5°；对于和频，在入射光波长为1064nm，532nm时，晶体切角范围是：θ＝137.7°±5°，φ＝130°±5°，或θ＝146.4°±5°，φ＝90°±5°。
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